Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 69 | ISSUE 1 | PAGE 26
Анизотропия верхнего критического поля и теплоемкости в V3Si - сверхпроводнике кубической симметрии
PACS: 74.25.Bt
Экспериментально исследована теплоемкость монокристаллического образца V3S1 с17 К, НС2=20 Тл) в магнитных полях до 8 Тл при трех ориентациях поля относительно кристаллографических направлений: Я||{001), Я||{110> и Я[|{111). Как в величине верхнего критического магнитного поля, так и в теплоемкости смешанного состояния наблюдалась зависимость от ориентации магнитного поля относительно кристаллографических направлений (анизотропия): критическое поле максимально, а теплоемкость минимальна при ориентации поля вдоль направления (001). Масштаб анизотропии в обоих явлениях растет пропорционально магнитному полю и достигает 3% в поле б Тл. Рассмотрена взаимосвязь анизотропии верхнего критического поля и теплоемкости в сверхпроводниках второго рода. Показано, что анизотропия теплоемкости смешанного состояния в малых полях может служить критерием нетривиального спаривания.