Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 82 | ISSUE 3 | PAGE 129
Экспериментальное наблюдение неравновесной конденсации электронно-дырочных пар в GaAs при комнатной температуре
П. П. Васильев

Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия


PACS: 42.50.Fx, 71.35.Lk
Abstract
В явном виде продемонстрирован эффект нестационарной конденсации электронно-дырочных пар в GaAs/AlGaAs p-i-n-гетероструктурах при комнатной температуре в режиме генерации импульсов сверхизлучения. Обнаружено, что на самых ранних стадиях развития импульса сверхизлучения происходит резкое уменьшение интенсивности спонтанного излучения из всей зоны проводимости и быстрый переход электронов на самое дно зоны. Конденсация электронов на дне зоны приводит к формированию неравновесного когерентного кооперативного состояния, распад которого наблюдался ранее в виде мощных фемтосекундных импульсов сверхизлучения.


Download PS file (GZipped, 155.2K)  |  Download PDF file (221.8K)


Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.