Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 81 | ISSUE 10 | PAGE 642
Аккумуляционный зарядовый слой на поверхности n-GaN (0001) с ультратонкими Ва покрытиями
Г. В. Бенеманская, Г. Э. Франк-Каменецкая
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН 194021 Санкт-Петербург, Россия

PACS: 73.20.-r, 79.60.Dp
Abstract
Исследована адсорбция Ва на поверхности GaN(0001) n-типа. Обнаружено, что субмонослойные покрытия Ва вызывают кардинальные изменения электронных свойств поверхности с образованием зарядового аккумуляционного слоя в области приповерхностного изгиба зон. Найдена фотоэмиссия при возбуждении системы Ва/n-GaN светом из области прозрачности GaN. Определено, что минимальное значение работы выхода соответствует \sim1.90 эВ при Ва покрытии \sim0.4 ML. В спектрах поверхностной фотоэмиссии обнаружены две поверхностные зоны, индуцированные адсорбцией Ва.


Download PS file (GZipped, 205.6K)  |  Download PDF file (253.8K)