Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 81 | ISSUE 8 | PAGE 502
Немонотонная температурная зависимость холловского сопротивления 2D системы электронов в Si
А. Ю. Кунцевич, Д. А. Князев, В. И. Козуб+, В. М. Пудалов, Г. Брунтхалер*, Г. Бауер*
Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
+Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 С.-Петербург, Россия
*Institut für Halbleiterphysik, Johannes Kepler Universtät, Linz, Austria


PACS: 71.30.+h, 73.40.Qv
Abstract
Для двумерной системы электронов в кремнии измерена температурная зависимость холловского сопротивления ρxy(T) в слабом магнитном поле, в той области температур (1-35) К и концентраций носителей n, в которой диагональная компонента сопротивления демонстрирует «металлическое» поведение. Обнаружено, что зависимости ρxy(T) при разных n немонотонны и имеют максимум при температуре T_{\rm max} \sim 0.16T_{\rm F}. При низких температурах (T<T_{\rm max}) изменение δρxy(T) существенно превышает квантовую поправку за счет взаимодействия и качественно согласуется с квазиклассическим результатом, учитывающим только уширение фермиевского распределения. При высоких температурах (T>T_{\rm max}) зависимость ρxy(T) может быть качественно объяснена как температурной зависимостью времени рассеяния, так и термоактивацией носителей из зоны локализованных состояний.


Download PS file (GZipped, 255.9K)  |  Download PDF file (371.1K)