Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 81 | ISSUE 7 | PAGE 415
Проявление локализации фононов в наноостровках Ge в спектрах комбинационного рассеяния света
Д. А. Орехов, В. А. Володин, М. Д. Ефремов, А. И. Никифоров, В. В. Ульянов, О. П. Пчеляков
Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия

PACS: 63.22.+m, 78.30.-j, 81.15.Hi
Abstract
Многослойные структуры с наноостровками германия, сформированные на поверхности кремния с ориентацией (111) при субмонослойном осаждении методом молекулярно-лучевой эпитаксии, были исследованы с применением спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС). Для интерпретации экспериментальных спектров КРС проведены численные расчеты спектров для наноостровков, содержащих от нескольких атомов германия до нескольких сотен атомов. Расчеты демонстрируют существенное влияние размеров наноостровков в плоскости (при размерах менее 2-3 нм) на частоты локализованных в них фононов. Экспериментальные данные КРС подтверждают наличие квантово-размерного эффекта.


Download PS file (GZipped, 326.2K)  |  Download PDF file (408.7K)