Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 81 | ISSUE 6 | PAGE 330
Сингулярность в туннельном токе через InAs квантовую точку, индуцированная магнитным полем
Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин

Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия


PACS: 71.55.Eq, 73.21.-b, 73.40.Gk
Abstract
Представлены результаты исследования туннельного транспорта через однобарьерную GaAs/(AlGa)As/GaAs гетероструктуру, содержащую самоорганизованные InAs квантовые точки, при низких температурах. Обнаружено аномальное возрастание туннельного тока через квантовые точки как в параллельном, так и перпендикулярном току магнитном поле, которое не может быть объяснено в рамках одноэлектронного приближения. Предложено объяснение наблюдаемого эффекта в соответствии с модифицированной теорией Матвеева-Ларкина, которая предсказывает появление сингулярности в туннельном токе через нульмерное состояние в магнитном поле вследствие взаимодействия туннелирующего электрона с поляризованным по спину трехмерным электронным газом в эмиттере. Отсутствие спинового расщепления экспериментальных резонансов обусловлено полной спиновой поляризацией эмиттера при относительно небольших значениях магнитного поля.


Download PS file (GZipped, 233.1K)  |  Download PDF file (317.4K)