Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 81 | ISSUE 3 | PAGE 162
Особенности магнитосопротивления квазиодномерного проводника с волной зарядовой плотности NbSe3 при различной ориентации магнитного поля
А. А. Синченко, Ю. И. Латышев+, П. Монсо*

Московский инженерно-физический институт, 115409 Москва, Россия
+Институт радиотехники и электроники РАН, 103907 Москва, Россия
*Centre de Recherches sur les tres Basses Temperatures, BP 166, 38042 Grenoble, France


PACS: 71.45.Lr, 73.40.Ns, 74.80 Fp
Abstract
Измерены полевые зависимости магнитосопротивления монокристаллов NbSe3 при различной ориентации магнитного поля. Показана возможность исследования поверхности Ферми по зависимости фазы осцилляций Шубникова-де Гааза от угла поворота индукции магнитного поля. Полученные данные указывают на преимущественную ориентацию вдоль проводящих цепочек квазиимпульсов носителей, неконденсированных в волну зарядовой плотности.


Download PS file (GZipped, 203.7K)  |  Download PDF file (296.7K)