Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 81 | ISSUE 1 | PAGE 33
Резонансное комбинационное рассеяние света в сверхрешетках GeSi/Si с квантовыми точками GeSi
А. Г. Милехин, А. И. Никифоров, О. П. Пчеляков, A. Г. Родригес+, Ж. К. Гальзерани+ 2), Д. Р. Т. Цан* 2)

Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия
+Departamento de Fisica, Universidade Federal de Sao Carlos, C.P. 676, Sao Carlos, SP, Brasil
*Institut für Physik, Technische Universität Chemnitz, D 09107 Chemnitz, Germany


PACS: 63.22.+m, 78.67.Hc, 78.30.Am
Abstract
Изучено резонансное комбинационное рассеяние света в структурах GeSi/Si с квантовыми точками GeSi, сформированными при различной температуре в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что в спектрах комбинационного рассеяния, записанных вблизи резонансов с электронными переходами E0 и E1 в квантовых точках, наблюдаются линии оптических фононов Ge, частоты которых существенно отличаются от соответствующего значения в объемном Ge. При низкой температуре роста структур (300\div400 °C) частота фононов уменьшается с ростом энергии возбуждения, что обусловлено комбинационным рассеянием, селективным по размеру квантовых точек, и свидетельствует о неоднородности размера квантовых точек. При повышенной температуре роста (500 °C) обнаружено противоположное поведение зависимости частоты фононов Ge от энергии возбуждения, что объясняется конкурирующим влиянием встроенных механических напряжений в квантовых точках, эффекта локализации оптических фононов и перемешивания атомов Ge и Si в структурах с двумодовым распределением квантовых точек по размеру.


Download PS file (GZipped, 147.7K)  |  Download PDF file (243.9K)