Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 80 | ISSUE 6 | PAGE 489
Переход приповерхностного δ-слоя туннельной структуры Al/δ(Si)-GaAs в диэлектрическое состояние под давлением
Е. М. Дижур, А. Н. Вороновский, А. В. Федоров И. Н. Котельников+, С. Е. Дижур+

Институт физики высоких давлений им. Л. Ф. Верещагина РАН, 142190 Троицк, Россия
+Институт радиотехники и электроники РАН, 125009 Москва, Россия


PACS: 62.50.+p, 73.21.-b, 73.30.+y, 73.40.Gk
Abstract
Измерены туннельная и латеральная проводимости туннельной структуры Al/GaAs с приповерхностным слоем δ-легирования кремнием при гелиевых температурах под гидростатическим давлением до 3 ГПа. Обнаружен переход δ-слоя в диэлектрическое состояние при давлении \approx 2 ГПа. Туннельное сопротивление растет при этом монотонно (в логарифмическом масштабе), а туннельная аномалия сопротивления при нулевом смещении проходит через резкий пик. Эти результаты интерпретируются в рамках представлений о влиянии давления на зонную структуру и поведение DX-уровней.


Download PS file (GZipped, 262.4K)  |  Download PDF file (309.1K)