Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 80 | ISSUE 1 | PAGE 36
Переход от сильной к слабой локализации в отщепленной примесной зоне в двумерных структурах p-GaAs/AlGaAs
Н. В. Агринская, В. И. Козуб, Д. В. Полоскин, А. В. Черняев, Д. В. Шамшур

Физико-технический Институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия


PACS: 73.21.-b
Abstract
В двумерных модуляционно легированных структурах GaAs/{\rm Al}_{0.3}{\rm Ga}_{0.7}As наблюдался кроссовер от сильно локализацационного поведения к слабой локализации (WL-SL) с ростом концентрации примесей в яме. При этом наблюдалось изменение характера низкотемпературной зависимости проводимости (от экспоненциальной к логарифмической), а также изменение знака магнетосопротивления (от линейного отрицательного к корневому положительному). Для 2D структур показано, что этот переход происходит в примесной зоне, отделенной от валентной зоны щелью подвижности, тогда как значение эффективной массы в примесной зоне больше, чем в валентной зоне.


Download PS file (GZipped, 239K)  |  Download PDF file (312.8K)