Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 112
      Volume 111
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 112 | ISSUE 1 | PAGE 17
Фурье-ограниченная ширина линий оптических переходов одиночных SiV-центров в "адамантановых" наноалмазах
Abstract
Центры окраски "кремний-вакансия" (SiV) в алмазе являются перспективной системой для квантово-информационных приложений благодаря их интенсивному узкополосному излучению и оптически детектируемым спиновым состояниям. В настоящей работе исследованы флуоресцентные свойства ансамблей и одиночных SiV-центров в HPHT-алмазах, полученных из адамантана (в дальнейшем - "адамантановых" алмазов), при гелиевых температурах. Ансамбли SiV-центров ({\sim} 10^3) изучались в крупных алмазных кристаллах размером 1-2 мкм. Несмотря на большое количество возбуждаемых центров, в их спектрах флуоресценции удается наблюдать тонкую структуру бесфононной линии, соответствующую четырем разрешенным оптическим переходам между дублетами основного и возбужденного состояний SiV-центра. Ширина отдельных линий лежит в диапазоне 60-80 ГГц, что объясняется их неоднородным уширением. Одиночные SiV-центры изучались в алмазных кристаллитах размером около 200 нм. При резонансном возбуждении флуоресценции одиночных SiV-центров наименьшая ширина линии отдельного перехода почти в 1000 раз уже, чем для SiV-ансамбля, и составляет 94 МГц, т.е. определяется временем жизни возбужденного состояния этого перехода. Таким образом, "адамантановый" наноалмаз демонстрирует самую узкую ширину линии излучения одиночного SiV-центра при криогенных температурах среди известных SiV-содержащих наноалмазов аналогичного размера, полученных НРНТ и CVD методами.