Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 110 | ISSUE 6 | PAGE 400
Эффект поля в линейной и нелинейной проводимости слоистого квазиодномерного полупроводника TiS3
Abstract
Изготовлены структуры типа полевого транзистора на основе вискеров слоистого квазиодномерного полупроводника TiS3. На этих структурах в диапазоне температур 4.2-300 К измерены зависимости проводимости σ от напряжения на затворе Vg, а также вольт-амперные характеристики вискеров ("исток-сток") при различных значениях Vg. C понижением температуры от 300 до 80 К чувствительность проводимости к напряжению на затворе, \alpha\equiv 1/\sigma \text{d}\sigma/\text{d}V_{\text{g}}, возрастает, а ниже 80 К - резко уменьшается. Ниже 70 K нелинейная проводимость начинает зависеть от Vg. Результаты можно объяснить образованием электронного кристалла при низких температурах.