Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 110 | ISSUE 3 | PAGE 178
Солитонная фотопроводимость в пайерлсовском проводнике ромбическом TaS3
Abstract
Изучено влияние растяжения на низкотемпературную проводимость и фотопроводимость пайерлсовского проводника ромбического TaS3. Обнаружен согласованный рост проводимости и фотопроводимости при T \lesssim 60 K, противоречащий модели столкновительной рекомбинации, которая хорошо описывает фотопроводимость в нерастянутых образцах. Рост проводимости сопровождается увеличением порогового поля начала скольжения волны зарядовой плотности ET, причем взаимосвязь между ET и проводимостью аналогична наблюдающейся при фотопроводимости. Эта взаимосвязь обусловлена изменением условий экранировки волны зарядовой плотности при изменении концентрации носителей тока. Обнаружена смена характера пиннинга волны зарядовой плотности с трехмерного при T \gtrsim 60 K на одномерный при T \lesssim 45 K при растяжении \varepsilon \approx 0.5 Обнаруженные эффекты объясняются тем, что в условиях растяжения вклад солитонов как в низкотемпературную проводимость, так и в фотопроводимость становится доминирующим.