Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 110 | ISSUE 1 | PAGE 62
AC и DC проводимость в структуре n-GaAs/AlAs с широкой квантовой ямой в режиме целочисленного квантового эффекта Холла
Abstract
Проведены измерения стационарной (DC - direct current) σxxdc и высокочастотной (AC - alternating current) σacxx1-i σ2 проводимостей в широкой (46 нм) квантовой яме GaAs с двухслойным распределением плотности электронов в режиме квантового эффекта Холла. В зависимости проводимости σxx от магнитного поля обнаружены три серии осцилляций, связанных с переходами между уровнями Ландау симметричной (S) и антисимметричной (AS) подзон и переходами, связанные с их зеемановским расщеплением. Анализ частотной зависимости AC-проводимости и соотношения σ1 / σ2 показал, что в минимумах осцилляций проводимость имеет прыжковый характер.