Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 110 | ISSUE 1 | PAGE 56
Новый вид пиннинга волны зарядовой плотности в кристаллах ромбического TaS3 с дефектами закалки
Abstract
В ромбическом TaS3 изучен характер пиннинга волны зарядовой плотности (ВЗП) дефектами закалки, что стало возможным благодаря обнаруженному эффекту изменения концентрации этих дефектов при термоциклировании образцов в области температур ниже температуры пайерлсовского перехода T<TP. Обнаружен ряд принципиальных отличий от пиннинга обычными локальными центрами - примесями и точечными дефектами. Это позволило предположить, что дефекты закалки являются протяженными (нелокальными) объектами (предположительно, дислокациями), способными диффундировать из кристалла при низкотемпературном термоциклировании вследствие их сильного взаимодействия с волной зарядовой плотности, присущего пайерлсовскому проводнику. Наличие этих дефектов приводит к неизвестному ранее нелокальному виду пиннинга волны зарядовой плотности с отличающимся от локального пиннинга влиянием на TP и пороговое поле начала скольжения волны зарядовой плотности ET.