Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 109 | ISSUE 12 | PAGE 835
Осцилляции Шубникова-де Гааза в трехмерном топологическом изоляторе на основе напряженной пленки HgTe в наклонном магнитном поле
Abstract
Работа посвящена особенностям формирования уровней Ландау в трехмерном топологическом изоляторе на основе напряженной пленки теллурида ртути толщиной 80 нм в наклонном магнитном поле. Экспериментально изучено магнетосопротивление оснащенных затвором холловских мостиков при температуре 1.9 К и в магнитном поле до 10 Тл. Затвор позволял изменять положение уровня Ферми из валентной зоны в зону проводимости, минуя объемную щель. Образцы устанавливались на поворотной платформе, позволяющей произвольным образом изменять угол между направлением магнитного поля и перпендикуляром к плоскости образца от 0 до 90°. Обнаружено, что осцилляции Шубникова-де Гааза формируются при условии, когда перпендикулярная компонента магнитного поля превышает 0.4 Тл, вне зависимости от приложенного затворного напряжения. Однако чувствительность системы к параллельной компоненте магнитного поля принципиальным образом зависит от приложенного затворного напряжения: в условиях, когда уровень Ферми находится в объемной щели и проводимость определяется поверхностными состояниями, амплитуда и положение осцилляций Шубникова-де Гааза относительно перпендикулярной компоненты поля остаются неизменными даже в условиях, когда параллельная компонента поля в 2 раза превышает перпендикулярную. В сильных магнитных полях наблюдается эффект подавления амплитуды осцилляций параллельной компонентной поля. Напротив, если уровень Ферми находится в валентной зоне или зоне проводимости, то параллельная компонента поля не только влияет на амплитуду осцилляций, но и приводит к их перестройке, например, формированию новых минимумов, связанных с Зеемановским расщеплением. Обнаруженное поведение системы укладывается в современные представления о спиновой поляризации поверхностных состояний трехмерных топологических изоляторов и вырожденных по спину объемных носителей.