Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 109 | ISSUE 12 | PAGE 821
Стимулированное терагерцовое излучение в системе экситонов фотовозбужденного кремния
Abstract
Обнаружено стимулированное терагерцовое излучение, обусловленное инверсией населенности между экситонными состояниями в кристаллах кремния при интенсивном межзонном фотовозбуждении. Спектр терагерцового усиления демонстрирует линии при 13.7 и 15.5 мэВ, значение коэффициента усиления на которых достигает 0.5 и 1 см-1, соответственно. Линия при 13.7 мэВ обусловлена инверсией населенности между высоковозбужденными состояниями и основным состоянием свободных экситонов. Линию при 15.5 мэВ можно связать с инверсией населенности между двухэкситонным и биэкситонным состояниями. Значения коэффициента терагерцового усиления позволяет рассчитывать на возможность создания нового типа терагерцового лазера на переходах между состояниями свободных экситонов в кремнии в условиях межзонного фотовозбуждения.