Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 109 | ISSUE 12 | PAGE 815
Пространственно-локализованный фотоэффект в амбиполярных органических полевых фототранзисторах1)
Abstract
С помощью численного моделирования показано, что в амбиполярных фототранзисторах на основе органических полупроводников при определенных значениях параметров материалов и структуры преобразование падающего излучения в фототок происходит не одинаково по всей длине канала, а имеется узкая область, где такое преобразование идет эффективно, причем пространственное положение этой фоточувствительной области вдоль координаты x, направленной от стока к истоку, контролируется напряжением на затворе VG. Возникновение такой области объясняется тем, что в ней повышена напряженность электрического поля, которая сильно влияет на эффективность разделения фотогенерируемых зарядов в органических полупроводниках. Определены зависимости пространственного положения фоточувствительной области от VG. Рассчитаны зависимости отношения фототока к темновому току от VG для различных профилей пространственного распределения интенсивности падающего излучения (ступенчатого, прямоугольного и гауссова). Показано, что при преобразовании шкалы VG в шкалу x данные зависимости воспроизводят с высокой степенью точности профили падающего излучения.


Supplemental files
12tru-d.pdf