Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 109 | ISSUE 7 | PAGE 496
Туннелирование в графен/h-BN/графен гетероструктурах через нульмерные уровни дефектов h-BN и их использование в качестве зонда для измерения плотности состояний графена
Abstract
Исследована эволюция проявления уровней дефектов h-BN в туннелировании через гетероструктуры графен/h-BN/графен различной степени совершенства, от полностью бездефектных до демонстрировавших несколько десятков уровней в запрещенной зоне h-BN. Показана связь поведения этих уровней с движением точек Дирака и химических потенциалов графеновых слоев при изменении смещающего и затворного напряжений, описываемым электростатической моделью идеальной бездефектной гетероструктуры. Исследована плотность состояний графена в магнитном поле путем зондирования ее уровнем единичного дефекта, с чувствительностью, позволившей зарегистрировать уже при B\sim4 Т расщепление нулевого уровня Ландау, обусловленного снятием спинового и долинного вырождения.