Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 109 | ISSUE 4 | PAGE 258
Электронный парамагнитный резонанс в Ge/Si гетероструктурах с квантовыми точками, легированными марганцем
Abstract
Структуры с Ge/Si квантовыми точками, легированными Mn, были исследованы методом электронного парамагнитного резонанса для нахождения оптимальных условий для формирования магнитной фазы внутри квантовых точек. Были исследованы две серии образцов: 1) серия A с квантовыми точками, выращенными при 450°C и варьируемой концентрации Mn, 2) серия B с квантовыми точками, выращенными при различных температурах и одной и той же концентрации Mn x = 0.02. Обнаружено, что присутствие Mn приводит к существенным изменениям спектров ЭПР от электронов, локализованных на квантовых точках. Эти изменения связаны с (i) уменьшением деформации из-за Ge-Si перемешивания, (ii) увеличением характерного размера квантовых точек и изменением их формы, (iii) появлением дополнительного магнитного поля, связанного с атомами Mn в квантовых точках. Полученные данные позволяют разобраться в причинах невоспроизводимости имеющихся в литературе результатов по созданию магнитных Ge1-xMnx квантовых точек.