Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 109 | ISSUE 3 | PAGE 170
Эффекты монополярного резистивного переключения в тонких слоях алмазоподобного углерода
Abstract
Исследованы вольтамперные характеристики структур Pt/DLC/Pt на базе тонких (20 нм) слоев алмазоподобного углерода, в которых соотношение между фазами углерода с sp2 и sp3-гибридизацией контролировали условиями роста слоев методом высокочастотного диодного распыления. Обнаружены эффекты резистивного переключения из исходно высокоомного в низкоомное состояние при приложении к структуре напряжения V\sim3 В и обратное переключение при V\sim0 В. Эти эффекты имеют симметричный характер относительно изменения полярности V и объясняются сменой типа гибридизации локальных углеродных областей, обусловливающим переключение из высокоомного в низкоомное состояние в сильных ({\sim} 10^6 В/см) полях за счет переходов sp3→sp2 и обратное переключение в отсутствие поля. Отношение сопротивлений в высокоомном в низкоомном состоянии достигает {\sim} 50.