Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 108 | ISSUE 4 | PAGE 253
Терагерцовая циклотронная фотопроводимость в сильно разбалансированной двумерной электронно-дырочной системе
Abstract
Впервые проведено экспериментальное исследование терагерцовой циклотронной резонансной фотопроводимости двумерной электронно-дырочной системы, когда циклотронный резонанс вызван поглощением излучения электронами, концентрация которых на один-три порядка ниже концентрации дырок. Получена информация о поведении основных параметров (амплитуда и уширение) резонансной фотопроводимости в зависимости от длины волны излучения, температуры и концентрации электронов. На основании этого сделан вывод о том, что резонансная фотопроводимость изучаемой системы обусловлена циклотронным резонансом, вызванным переходами между частично заполненным нулевым уровнем Ландау электронов и первым, причем уширение резонанса обусловлено рассеянием на короткодействующем экранированном примесном потенциале. Обнаружено, что уменьшение концентрации электронов на порядок не приводит к заметному уменьшению сигнала фотопроводимости, более того, на длине волны 432 мкм она даже немного растет. Указанный факт может быть связан с эффективным усилением напряженности поля падающей волны в исследуемой системе.