Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 107 | ISSUE 12 | PAGE 788
Атомная и электронная структура собственных дефектов в Ta2O5: ab initio моделирование
Abstract
Изучается атомная и электронная структура собственных точечных дефектов в орторомбическом оксиде тантала методами численного моделирования в рамках теории функционала плотности. Показано, что все дефекты, приводящие к обогащению Ta2O5 металлом, выступают в качестве электронных и дырочных ловушек. В условиях сильного обеднения кислородом и на контакте металл-диэлектрик, характерных для элементов резистивной памяти, междоузельные атомы тантала играют конкурентную с вакансией кислорода роль в формировании проводящего филамента. Междоузельные атомы кислорода не участвуют в транспорте заряда. Тантал, замещающий кислород, можно рассматривать как комбинацию кислородной вакансии и междоузельного тантала. Анализ рассчитанных значений термической и оптической энергии ионизации ловушек показывает, что именно вакансия кислорода является ключевым дефектом для переноса заряда в Ta2O5.