Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 107 | ISSUE 10 | PAGE 643
Структурно-зависимое магнетосопротивление в гибридном нанокомпозите Zn0.1Cd0.9GeAs2 + MnAs
Abstract
В гибридном нанокомпозите на основе матрицы Zn0.1Cd0.9GeAs2 и MnAs кластеров исследовано влияние высокого давления на электронный транспорт и полевую зависимость поперечного магнетосопротивления. Вблизи индуцированного давлением структурного превращения (P\approx3.5 ГПа) формируется рекордно большая величина отрицательного магнетосопротивления \sim 74 Рассматриваемые механизмы рассеяния учитывают, как вклад, происходящий от MnAs кластеров при сравнительно низких давлениях (до 0.7 ГПа), так и спин-зависимое рассеяние на локализованных магнитных моментах, в замещенной Mn структуре матрицы в области структурного перехода. Наличие положительного участка магнетосопротивления, связанного с двухзонной моделью транспорта в фазе высокого давления, а также большое отрицательное магнетосопротивление описываются в рамках полуэмпирического выражения Хосла-Фишера.