Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 107 | ISSUE 6 | PAGE 371
Видимое излучение плотного биэкситонного газа в SiGe/Si квантовых ямах в условиях внешней анизотропной деформации1)
Abstract
В данной статье впервые проведено исследование влияния внешней анизотропной деформации на спектры ИК- и видимой люминесценции гетероструктур с квантовыми ямами SiGe/Si при гелиевых температурах. Показано, что при температуре T = 5 К растяжение слоя SiGe вдоль направления [100] приводит к усилению относительной интенсивности излучения в видимой области спектра в 7/3 \simeq 2.3 раза. Этот эффект отсутствует при растяжении вдоль направления [110]. Дано объяснение данного явления на основе представлений о "светлых" и "темных" состояниях биэкситонов при многочастичной рекомбинации. При температуре 2 К относительная интенсивность видимой люминесценции при растяжении увеличивается в 3.4-3.9 раза, что может указывать либо на расщепление основного состояния биэкситонов с различной электронной конфигурацией, либо на отклонение их функции распределения от закона Больцмана.


Supplemental files
6nik-d.pdf