Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 107 | ISSUE 4 | PAGE 276
Влияние слабых магнитных полей на электрические свойства кристаллов CdTe
Abstract
Обнаружено влияние постоянного и импульсного магнитных полей (\sim 1 Тл) на электропроводность кристаллов CdTe. Эффект наблюдается с задержкой после магнитной экспозиции кристаллов в виде двух пиков их удельной проводимости с последующим релаксационным возвратом. Первый пик при обоих типах магнитной обработки наблюдается через \sim 1 ч после экспозиции, а его амплитуда превышает фоновое значение на \sim 23-36 постоянного поля). Второй пик в обоих случаях тоже возникает при соизмеримых, но гораздо больших задержках \sim 50-60 ч, а его амплитуды еще сильней различаются для двух типов экспозиции, превышая фон на \sim 60 постоянного поля и только на \sim 11 возможные механизмы наблюдаемого эффекта.