Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 107 | ISSUE 1 | PAGE 35
Скейлинг магнитосопротивления и анизотропия рассеяния носителей заряда в парамагнитной фазе каркасного стекла Ho0.8Lu0.2B12
Abstract
При низких температурах 2-10 К исследовано поперечное магнитосопротивление додекаборида Ho0.8Lu0.2B12 со структурой каркасного стекла. Показано, что в парамагнитной фазе в широкой окрестности T_{\text{N}}\approx5.7 K в этом антиферромагнетике доминирующим вкладом является изотропное отрицательное магнитосопротивление, связанное с рассеянием носителей на наноразмерных кластерах ионов Но3+, которое масштабируется в координатах ρ=f(μeff2H2/T2). Обнаружено, что анизотропия магнитосопротивления выше TN (около 15 обусловлена положительным вкладом, который достигает максимальных значений для направлений вблизи  H| [001]. Предложено объяснение анизотропии рассеяния носителей заряда в терминах динамического кооперативного эффекта Яна-Теллера на кластерах В12.