Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 106 | ISSUE 8 | PAGE 506
Квантовые поправки к проводимости и анизотропия магнетосопротивления тонких пленок Bi2Se3, легированных Eu
Abstract
В работе исследован магнетотранспорт в тонких пленках Bi2Se3 с магнитной примесью Eu в области слабых магнитных полей. При повышении уровня легирования наблюдается насыщение длины дефазировки при охлаждении, что может быть объяснено наличием магнитных включений. Наблюдаемая анизотропия магнетосопротивления качественно аналогична анизотропии, наблюдаемой в немагнитных пленках Bi2Se3. Множественные аналогии со свойствами пленок чистого Bi2Se3, с учетом некоторых отличий, могут быть объяснены в предположении локального взаимодействия топологически нетривиальных интерфейсных состояний с Eu-содержащими включениями.