Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 106 | ISSUE 8 | PAGE 496
Рентгеновская рефлектометрия и фотоэлектронная спектроскопия сверхрешеток с нанокристаллами кремния
Abstract
В работе исследованы структурные свойства и особенности химического состава многослойных тонких пленок SiOxNy/SiO2, SiOxNy/Si3N4 и SiNx/Si3N4 с ультратонкими (1-1.5 нм) барьерными слоями SiO2 или Si3N4. Пленки были получены методом плазмохимического осаждения из газовой фазы и отожжены при температуре 1150 °С для формирования нанокристаллов кремния в обогащенных кремнием слоях SiOxNy или SiNx номинальной толщиной 5 нм. Период сверхрешеток в исследуемых образцах был оценен методом рентгеновской рефлектометрии. Фазовый состав сверхрешеток был исследован методом рентгеноэлектронной спектроскопии с использованием разложения фотоэлектронных спектров Si 2p-, N 1s- и O 1s-уровней на компоненты, соответствующие различным зарядовым состояниям атомов.