Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 106 | ISSUE 7 | PAGE 440
Двумерный электронный газ на границе сегнетоэлектрика Ba0.8Sr0.2TiO3 и антиферромагнетика LaMnO3
Abstract
Исследована температурная зависимость электросопротивления гетероструктур, состоящих из монокристаллических образцов антиферромагнетика LaMnO3 различной ориентации с нанесенной на них эпитаксиальной пленкой сегнетоэлектрика Ba0.8Sr0.2TiO3. Полученные результаты измерений электросопротивления сравниваются с поведением электросопротивления в монокристаллических образцах LaMnO3 без пленок. Обнаружено, что в образцах с пленкой, в которой ось поляризации сегнетоэлектрика расположена перпендикулярно поверхности монокристалла, электросопротивление сильно падает, и при понижении температуры ниже 160 K демонстрирует металлический характер. Проведено моделирование структурных и электронных свойств гетероструктуры сегнетоэлектрик-антиферромагнетик: BaTiO3/LaMnO3. Показан переход в состояние двумерным электронным газом на интерфейсе.