Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 105 | ISSUE 9 | PAGE 554
О скорости ударной ионизации в прямозонных полупроводниках
Abstract
В рамках 14-зонной  k• модели исследована интенсивность процессов ударной ионизации в прямозонных полупроводниках и получены аналитические выражения для темпа ударной ионизации. Показано, что вблизи энергетического порога скорость процесса определяется суммой изотропного вклада, кубического по отстройке от порога, и сильно анизотропного квадратичного, возникающего лишь в меру взаимодействия с далекими зонами. Сопоставление этих вкладов в условиях усреднения по невырожденному изотропному распределению неравновесных электронов с некоторой эффективной температурой T* показывает, что именно кубический, а не традиционно используемый квадратичный вклад доминирует для прямозонных полупроводников с Eg<1-1.5 эВ вплоть до T* = 300 K, и это должно учитываться при расчетах приборных характеристик устройств, использующих эффект лавинного умножения носителей.