Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 105 | ISSUE 4 | PAGE 230
Электронные и транспортные свойства гетерофазных соединений на основе MoS2 1)
Abstract
В данной работе проведено детальное исследование новых гетерофазных сверхрешеток на основе MoS2 с помощью теории функционала электронной плотности. Показано, что внедрение 1Т-фазы в монослой 2H-MoS2 приводит к формированию электронных уровней вблизи энергии Ферми и формированию квантовых ям в поперечном направлении сверхрешеток. Предложенные гетерофазные латеральные структуры дихалькогенидов переходных металлов имеют большие перспективы для конструирования новых элементов аноэлектроники.


Supplemental files
4kvash-d.pdf