Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 105 | ISSUE 3 | PAGE 170
Эпитаксиальный рост монокристалла графена на поверхности Ni(111)
Abstract
Методами сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) и теории функционала плотности (ТФП) изучен процесс термопрограммируемого синтеза графена из молекул пропилена на поверхности Ni(111) в условиях сверхвысокого вакуума. Установлено, что на атомных террасах Ni(111) адсорбция пропилена при комнатной температуре приводит к дегидрированию молекул пропилена с формированием одноатомных углеродных цепочек, а на краях атомных ступеней - к полной диссоциации пропилена с последующей диффузией атомов углерода под поверхность. Прогрев такого образца при 500 °С вызывает формирование монослойных островков графена как из поверхностных атомных цепочек, так и путем сегрегации атомов углерода, накопленных в верхних атомных слоях никеля. Контролируемым образом удается проследить процесс формирования эпитаксиального монослоя графена вплоть до полного заполнения поверхности никеля. Атомные дефекты, наблюдаемые на поверхности графена, интерпретированы как отдельные атомы никеля, внедренные в моно- или бивакансии графена.