Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 103 | ISSUE 8 | PAGE 578
Квантовый эффект Холла в системе с электронным резервуаром1)
Abstract
В полевом транзисторе с электронной системой в широкой квантовой яме GaAs выполнены прецизионные измерения зависимости емкости от магнитного поля и затворного напряжения. Обнаружено, что минимумы в емкости, обусловленные щелями в спектре Ландау электронной системы, при заполнении двух подзон размерного квантования становятся аномально широкими. Эффект объясняется удержанием химпотенциала в щели между уровнями Ландау одной из подзон за счет перераспределения электронов между подзонами, происходящего при изменении магнитного поля. В модели электронной системы, образованной двумя слоями двумерных электронов, выполнен расчет, учитывающий такое перераспределение. Результаты расчета описывают как уширение особенностей в емкости, так и наблюдаемое исчезновение отдельных состояний квантового эффекта Холла.


Supplemental files
8doro_d.pdf