Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 102 | ISSUE 4 | PAGE 237
Стимулированные излучения при переходах между лестницами Ванье-Штарка в полупроводниковых сверхрешетках1)
Abstract
Продемонстрированы новые внутризонные полупроводниковые лазеры на основе простых сверхрешеток (СР) GaAs(150 А, яма)-GaAlAs(19 А, с долей алюминия 12 в них основан на инверсии населенности между основным уровнем ВШ в ямах СР и слабо заселенным верхним уровнем ВШ в ямах на два, три, четыре периода вниз по приложенному потенциалу. В чипах лазеров обнаружены множественные области интенсивного стимулированного СВЧ-излучения в окрестности напряжений 8, 13 и 20 В (т.е. в окрестности резонансов между этими уровнями ВШ СР). Стимулированное излучение возникает в контуре, состоящем из чипа и системы его подключения. В одном из чипов излучение (в окрестности 20 В, приложенных к чипу) существует на частоте около 7.3 ГГц при температуре до 150 К и имеет оценочную мощность до 1 Вт. Продемонстрировано, что отрицательная проводимость, ответственная за излучение, сохраняется и при 300 К, а излучения не наблюдается из-за больших потерь в контуре при этой температуре. Пластина с СР выращена методом MOCVD. Она имеет 1000 периодов и стоп-слой для создания терагерцового резонатора металл-CP-металл. Терагерцового излучения не наблюдалось из-за малого коэффициента усиления в сравнении с потерями в резонаторе. Проведенные эксперименты, расчеты и обсуждения показывают, что при оптимизации параметров подобные СР могли бы стать конкурентами каскадных лазеров как источников излучения на частотах от ГГц до ТГц и выше.


Supplemental files
4andr-s.pdf


Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.