Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 99 | ISSUE 4 | PAGE 231
Полупроводниковый искусственный графен: эффекты в слабых магнитных полях
Abstract
Численно исследован двумерный квантовый транспорт через полоску гексагональной решетки антиточек, перекрывающую многомодовый канал в структуре GaAs/AlGaAs. Обнаружено, что малые перпендикулярные магнитные поля (\sim 3 мT) подавляют объемные токи, вызывают появление краевых состояний Ландау и большое положительное магнитосопротивление по обе стороны от дираковской точки. В некоторых интервалах по энергии присутствуют таммовские краевые состояния, что добавляет к ступеням квантования кондактанса Gn=(2|n|+1)2e2/h осцилляции амплитуды \approx 4e^2/h, вызванные квантованием этих состояний на длине решетки.