Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 99 | ISSUE 1 | PAGE 54
Релаксационные процессы электронной и решеточной подсистем при абляции поверхности железа ультракороткими лазерными импульсами
Abstract
Пороги одноимпульсной абляции поверхности железа ультракороткими лазерными импульсами по откольному и фрагментационному механизмам, а также глубины соответствующих абляционных кратеров измерены методом оптической интерферометрии для различных значений длительности лазерных импульсов, τlas=(0.3-3.6) пс. Немонотонная зависимость обоих порогов от τlas с минимумом вблизи 1.2 пс (характерное время электрон-фононной релаксации τep) отражает релаксационные явления транспорта и эмиссии нетермализованных и термализованных носителей, соответственно, для суб- и пикосекундных лазерных импульсов. В отличие от относительно медленной откольной абляции более быстрое (пикосекундное) фрагментационное удаление материала путем гидродинамического разлета его закритического флюида практически исчезает при τlasep ввиду испарительного охлаждения поверхности материала.