Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 97 | ISSUE 2 | PAGE 108
Проявление полуметаллического состояния в циклотронном резонансе низкосимметричных квантовых ям на основе HgTe
Abstract
Проведены измерения циклотронного резонанса в квантовых ямах HgTe/CdHgTe толщиной 21 нм с различными кристаллографическими ориентациями плоскостей ям. Исследования показали, что в отличие от структур с ориентацией (001) ямы с ориентацией (013) находятся в полуметаллическом состоянии, а их спектры поглощения содержат линии циклотронного резонанса как электронов, так и дырок. Одновременное наблюдение двух типов носителей связано с перекрытием верхних подзон размерного квантования тяжелых дырок (hh1, hh2), которое обусловлено их сильным взаимодействием с интерфейсным состоянием Дьяконова-Хаецкого. Расчет, проведенный в рамках восьмизонного kp-гамильтониана, показал, что для известных зонных параметров перекрытия ветвей hh2 и hh1 не происходит в согласии с данными по циклотронному резонансу в структурах с ориентацией (001). Для объяснения перекрытия подзон в квантовых ямах HgTe с ориентацией, отличной от (001), предлагается механизм усиления взаимодействия тяжелых дырок с интерфейсными состояниями за счет присутствия ступенек на гетерогранице низкосимметричных квантовых ям.