Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 94 | ISSUE 12 | PAGE 939
Влияние внешнего электрического поля на кинетику рекомбинации фотовозбужденных носителей в гетероструктуре 2-го типа ZnSe/BeTe
Е. В. Филатов, А. А. Максимов, И. И. Тартаковский, Д. Р. Яковлев, В. Вааг*

Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Россия
+Experimentelle Physik II, Technische Universität Dortmund, 44227 Dortmund, Germany
×Физико-технический институт им. Иоффе РАН, 194021 С.-Петербург, Россия
*Institute of Semiconductor Technology, Braunschweig Technical University, D-38106 Braunschweig, Germany

Abstract
Исследована кинетика излучательной рекомбинации фотовозбужденных электронов и дырок для пространственно прямого перехода в гетероструктуре 2-го типа ZnSe/BeTe при приложении внешнего электрического поля. Обнаружены значительное (в сотни раз) уменьшение интенсивности фотолюминесценции (ФЛ) и уменьшение длительности свечения прямого перехода при приложении электрического поля. Проведены численные расчеты уровней энергии и волновых функций электронов и дырок при приложении электрического поля к гетероструктуре ZnSe/BeTe. Показано, что наблюдаемое уменьшение интенсивности ФЛ и длительности свечения прямого перехода связано как с возрастанием времени излучательной рекомбинации, так и с увеличением скорости ухода фотовозбужденных дырок с надбарьерного уровня в слое ZnSe в слой BeTe.


Download PS file (GZipped, 211.4K)  |  Download PDF file (245K)


Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.