Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 94 | ISSUE 11 | PAGE 877
Электрооптическая ловушка для диполярных экситонов в GaAs/AlAs диоде Шоттки с одиночной квантовой ямой
А. В. Горбунов, В. Б. Тимофеев, Д. А. Демин*

Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Россия
*Московский физико-технический институт, 141700 Долгопрудный, Россия

Abstract
В GaAs/AlAs диоде Шоттки с одиночной GaAs квантовой ямой шириной 400 Å реализована электрооптическая ловушка для пространственно-непрямых диполярных экситонов. В условиях приложенного к затвору напряжения смещения ловушка для экситонов возникала при кольцевом освещении структуры непрерывным либо импульсным лазером, генерирующим горячие электронно-дырочные пары в квантовой яме. Барьер для экситонов, накапливаемых внутри освещаемого кольца, возникал вследствие экранирования приложенного электрического поля неравновесными носителями непосредственно в области возбуждения. Экситоны накапливались внутри кольца за счет амбиполярного дрейфа носителей и диполь-дипольного экситонного отталкивания в области оптической накачки. Для накапливаемых таким образом диполярных экситонов в середине кольцевой электрооптической ловушки наблюдалось существенное сужение линии люминесценции с ростом плотности возбуждения, указывающее на их коллективное поведение.


Download PS file (GZipped, 309.1K)  |  Download PDF file (238.8K)


Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.