Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 94 | ISSUE 10 | PAGE 816
Динамика откольной абляции поверхности GaAs под действием фемтосекундных лазерных импульсов
А. А. Ионин, С. И. Кудряшов, Л. В. Селезнев, Д. В. Синицын
Физический институт им. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
Abstract
Откол слоя расплава нанометровой толщины на поверхности GaAs при ее абляции фемтосекундными лазерными импульсами происходит с субнаносекундными задержками и скоростями отлета, зависящими от плотности энергии лазерного излучения, после его полного теплового (гидродинамического) расширения/акустической релаксации. Положение поверхности откола в расплаве определяется глубиной формирования двумерного подповерхностного слоя нанопузырей (нанопены), тогда как сильнее прогретый поверхностный слой расплава выше нанопены частично удаляется в виде парокапельной смеси. На стадии теплового расширения в слое расплава наблюдаются акустические реверберации, которые характеризуют как динамику роста его толщины, так и смещение области кавитации (нанопены) внутри расплава, а кроме того, могут дополнительно стимулировать откол, способствуя кавитации в полностью разгруженном расплаве при прохождении слабой волны разрежения.


Download PS file (GZipped, 550.4K)  |  Download PDF file (420.9K)


Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.