Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 94 | ISSUE 10 | PAGE 806
Антисвязывающее основное состояние дырок в двойных вертикально связанных квантовых точках Ge/Si
А. И. Якимов, В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, А. В. Двуреченский
Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
Abstract
Экспериментально доказано существование антисвязывающего основного состояния дырок в искусственных молекулах, образованных вертикально связанными квантовыми точками Ge/Si. Это явление отсутствует в природных молекулах, а также в двойных квантовых точках, содержащих электроны, и является следствием спин-орбитального взаимодействия и деформационных эффектов в валентной зоне вертикально совмещенных квантовых точек.


Download PS file (GZipped, 236.5K)  |  Download PDF file (227.7K)


Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.