Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 94 | ISSUE 7 | PAGE 576
Магнето-межподзонное туннелирование Зинера в широкой GaAs квантовой яме при больших факторах заполнения
А. В. Горан+, А. К. Калагин+, А. А. Быков+*

+Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия
*Новосибирский государственный технический университет, 630092 Новосибирск, Россия

Abstract
Исследованы зависимости дифференциального сопротивления rxx от плотности постоянного электрического тока Jdc в широкой GaAs квантовой яме с двумя заполненными подзонами размерного квантования при температуре T = 4.2 K в магнитных полях B< 1 Тл. При больших факторах заполнения в зависимостях rxx(Jdc) обнаружен пик, положение которого определяется соотношением 2R_{c}eE_{\rm H}=\hbar\omega_{c}/2, где Rc - циклотронный радиус электронов, E H - напряженность электрического поля Холла, ωc - циклотронная частота. Полученные данные объясняются зинеровским туннелированием электронов между уровнями Ландау различных подзон.


Download PS file (GZipped, 173.1K)  |  Download PDF file (201.7K)


Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.