Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 94 | ISSUE 6 | PAGE 500
Стабильность поверхности (0001) топологического изолятора Bi2Se3
О. Е. Терещенко*+, К. А. Кох°, В. В. Атучин*, К. Н. Романюк*+, С. В. Макаренко+, В. А. Голяшов+, А. С. Кожухов*+, И. П. Просвирин, А. А. Шкляев*+
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия
+Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
°Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского РАН, 630090 Новосибирск, Россия
Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия

Abstract
Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, атомно-силовой и сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии продемонстрирована инертность поверхности скола (0001) монокристаллического Bi2Se3 к окислению: после месяца хранения образцов на воздухе на поверхности не образуется собственных оксидов висмута и селена. Получены атомно-гладкие поверхности макроскопических размеров ({\sim} 1 см2) со средней квадратичной шероховатостью менее 0.1 нм и атомным разрешением структуры (1×1)-(0001) Bi2Se3. Измерение туннельной проводимости выявило квазилинейную зависимость поверхностной плотности состояний от энергии в запрещенной зоне Bi2Se3.


Download PS file (GZipped, 1232.7K)  |  Download PDF file (533.7K)


Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.