Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 94 | ISSUE 6 | PAGE 477
Влияние дислокаций на форму островков при росте кремния на оксидированной поверхности Si(111)
А. А. Шкляев+*, К. Н. Романюк+*, А. В. Латышев+*, А. В. Аржанников
+Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия
*Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
°Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия

Abstract
Методом сканирующей туннельной микроскопии исследован процесс формирования дислокационных и бездислокационных островков кремния при росте в отсутствие механических напряжений. Округлая форма островков, полученных при температурах роста 400-500 °С на оксидированной поверхности Si(111), ассоциируется с наличием в них дислокаций. Перенос атомов с оксидированной поверхности в островки происходит благодаря барьеру потенциальной энергии на границе SiO2/Si. В форме островков, выращенных при 500-550 °С, преобладают грани {111} и {311}. Их появление свидетельствует о лимитировании роста стадией зарождения нового атомного слоя и об отсутствии в островках прорастающих дислокаций.


Download PS file (GZipped, 2244.3K)  |  Download PDF file (1013.3K)


Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.