Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 94 | ISSUE 5 | PAGE 393
Терагерцовое излучение, вызванное ванье-штарковской локализацией электронов в естественной сверхрешетке карбида кремния
В. И. Санкин, А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, А. Г. Петров
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, 194021 Санкт-Петербург, Россия
Abstract
Сообщается об обнаружении интенсивной терагерцовой электролюминесценции в SiC- структурах с минизонным характером электронного спектра, обусловленным естественной сверхрешеткой. Форма линии терагерцового излучения, линейная зависимость положения ее максимума от напряжения смещения, характерное значение напряженности поля, требуемого для достижения излучения, а кроме того, преимущественная поляризация излучения вдоль оси сверхрешетки свидетельствуют о том, что обнаруженное излучение возникает в результате возбуждения стационарных блоховских осцилляций электронов в естественной сверхрешетке карбида кремния.


Download PS file (GZipped, 98K)  |  Download PDF file (162.9K)


Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.