Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 94 | ISSUE 4 | PAGE 348
Самопроизвольная модуляция состава при молекулярно-лучевой эпитаксии CdxHg1-xTe(301)
И. В. Сабинина, А. К. Гутаковский, Ю. Г. Сидоров, А. В. Латышев
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия
Abstract
Обнаружен эффект самопроизвольной модуляции состава твердого раствора в пленках CdxHg1-xTe в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках CdTe/ZnTe/GaAs(301). Исследование микроморфологии поверхности пленок в атомно-силовом микроскопе и микроструктуры пленок в просвечивающем электронном микроскопе позволило установить, что в процессе эпитаксиального роста при температуре выше оптимальной на поверхности пленок CdxHg1-xTe(301) формируется периодическая система ориентированных в направлении [010] макроступеней, разделенных террасами (100). Рост пленки однородного состава оказывается возможным только на фронте макроступеней и невозможным на террасах (100), на которых происходит рост слоистой структуры с модуляцией состава в направлении [100] с периодом в несколько десятков ангстрем. Наблюдающееся явление объясняется пониженной адсорбцией атомов ртути на плоскости (100).


Download PS file (GZipped, 2269.5K)  |  Download PDF file (572.4K)


Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.