Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 110
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 94 | ISSUE 2 | PAGE 141
Исследование краевых магнитоплазменных возбуждений в двумерных электронных системах с различным профилем краевого обеднения
Д. В. Сметнев, В. М. Муравьев, И. В. Андреев, И. В. Кукушкин
Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Россия
Abstract
С помощью копланарной и полосковой методик проведены измерения резонансного микроволнового поглощения системой двумерных электронов. Исследовано влияние края электронной системы на дисперсию краевых магнитоплазмонов. Установлено, что ширину края двумерной системы можно варьировать в широких пределах (почти на два порядка), изменяя глубину, на которую осуществляется поверхностное травление кристалла. Показано, что при травлении через квантовую яму ширина края электронной системы оказывается около 0.2 мкм, в то время как в случае неглубокого травления (например, до слоя доноров) край становится плавным и его ширина может быть увеличена до 12 мкм. Исследовано влияние логарифмического множителя, зависящего от ширины края электронной системы, на дисперсию краевых магнитоплазменных возбуждений.


Download PS file (GZipped, 191.7K)  |  Download PDF file (195.6K)


Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.