Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 94 | ISSUE 2 | PAGE 110
О происхождении состояний двумерного электронного газа на поверхности топологических изоляторов
Т. В. Меньщикова*, С. В. Еремеев+*, Е. В. Чулков^{\triangle}

*Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия
+Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отд. РАН, 634021 Томск, Россия
^{\triangle}Donostia International Physics Center (DIPC), and CFM, Centro Mixto CSIC-UPV/EHU, Departamento de Física de Materiales, UPV/EHU, Apdo. 1072, 20080 San Sebastián, Spain

Abstract
Представлены результаты первопринципных расчетов электронной структуры объема и поверхности (0001) узкозонных полупроводников Bi2Se3, Sb2Te3, Sb2STe2 и Sb2SeTe2. Показано, что так же, как известные ранее Bi2Se3 и Sb2Te3, тройные соединения Sb2STe2 и Sb2SeTe2 являются трехмерными топологическими изоляторами. Проведен анализ влияния уширения подповерхностного ван-дер-ваальсовского промежутка на электронную структуру поверхности рассматриваемых соединений. Показано, что это уширение приводит к появлению новых (тривиальных) поверхностных состояний: параболического состояния и состояния М-образной формы в зоне проводимости и валентной зоне соответственно. Полученные результаты позволяют объяснить эффекты, обнаруженные в недавних фотоэмиссионных экспериментах, и выяснить причину происхождения новых состояний, возникающих благодаря адсорбции атомов на поверхности слоистых топологических изоляторов.


Download PS file (GZipped, 490.1K)  |  Download PDF file (437.9K)


Список работ, цитирующих данную статью, см. здесь.

List of articles citing this article can be found here.