Home
For authors
Submission status

Archive
Archive (English)
Current
      Volume 109
      Volume 108
      Volume 107
      Volume 106
      Volume 105
      Volume 104
      Volume 103
      Volume 102
      Volume 101
      Volume 100
      Volume 99
      Volume 98
      Volume 97
      Volume 96
      Volume 95
      Volume 94
      Volume 93
Search
VOLUME 94 | ISSUE 1 | PAGE 63
Влияние барьера для электронов на конденсацию экситонов и спектр многочастичных состояний в квантовых ямах SiGe/Si
В. С. Багаев+, В. С. Кривобок+, С. Н. Николаев+, Е. Е. Онищенко+, М. Л. Скориков+, А. В. Новиков, Д. Н. Лобанов
+Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, 119992 Москва, Россия
*Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия

Abstract
Продемонстрировано влияние барьера для электронов в слое SiGe на работу выхода и равновесную концентрацию квазидвумерной конденсированной фазы, образующейся в квантовых ямах SiGe/Si. При величине барьера, близкой к критической для образования электронно-дырочной жидкости, обнаружен новый канал рекомбинации, обладающий нестандартными свойствами.


Download PS file (GZipped, 288.7K)  |  Download PDF file (298.8K)